英国高级电子设备ELEC70003Advanced Electronic Devices课程介绍

高级电子设备

ELEC70003

Advanced Electronic Devices

学习目标

课程内容：

场效应晶体管(FET)技术已经达到纳米尺度。解析公式已无法描述这些设备的运行情况，因此计算机辅助设计技术(TCAD)已成为预测这些微型设备运行和性能的必要手段。

本课程的目的是了解极短通道长度对场效应管性能的影响。课程将使用Synopsis开发的Sentaurus软件来研究与纳米级场效应管相关的问题。课程将评估最新研发的场效应晶体管，例如鳍式场效应晶体管、超薄体和盒式场效应晶体管、纳米线和纳米片场效应晶体管。

课程结束时，你将了解纳米场效应晶体管的最新发展水平及其优缺点，并能够使用商业工具Sentaurus来模拟新型纳米半导体器件的性能。

学习成果：

成功完成本课程后，学生将能够：

1、批判性地分析纳米尺度场效应晶体管中的输运过程、

2、能在给定几何形状和材料参数的情况下，使用Sentaurus TCAD的数值模拟推导器件特性。

3、提取场效应晶体管的性能参数，并严格评估其在应用中的相关性。

4、阅读和撰写半导体器件设计领域的技术论文及其对未来CMOS发展的影响。

5、使用Synopsis中的Sentaurus TCAD设计/优化当前和新型设备。

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